موفقیت سامسونگ در تولید نخستین حافظه رم مبتنی بر فناوری 10 نانومتری
پس از انتشار شایعات و اخباری پیرامون تاخیر اینتل در تولید چیپست های مبتنی برا معماری 10 نانومتری به تازگی سامسونگ خبر از تولید انبوه حافظه های رم 10 نانومتری داده و نام خود را به عنوان نخستین شرکت در این زمینه به ثبت خواهد رساند، شایان ذکر است بنابر ادعای سامسونگ در مرحله بعد رم های تلفن های هوشمند نیز با کمک این فناوری تولید خواهند شد.
در حال حاضر سامسونگ توانسته است حافظه های DRAM هشت گیگابایتی از نوع DDR4 را مبتنی بر فناوری 10 نانومتری به تولید انبوه رسانده و تا پایان سال جاری میلادی بایستی شاهد حضور آن ها در لپ تاپ ها و رایانه های رومیزی خواهیم بود.
همان طور که در بالا نیز اشاره شد سامسونگ نوید حضور این فناوری را در رم های مخصوص اسمارت فون ها را نیز داده است تا به رقابت با SK Hynix کمپانی هموطن خود و شرکت آمریکایی Micron Technology بپردازد.
بهتر است بدانید این فناوری با الگودهی 4 تایی موجود در NAND flash ها منجر به افزایش سرعت و عملکرد سخت افزار تا 30 درصد و کاهش میزان انرژی مورد نیاز تا 20 درصد در قیاس با فناوری 20 نانومتری می گردد.
